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立陶宛科学院院士Juozas Vidmantis Vaitkus来访
澳门新永利官网:2014-10-29 11:56:11 点击量:

2014年10月21日-10月23日,受核技术研究所贺朝会教授和刘书焕副教授的邀请,立陶宛科学院院士、Vilnius University大学教授、Institute of Applied Research研究所所长Juozas Vidmantis Vaitkus及其夫人Aurelija Vaitkuviene博士莅临澳门新永利国际网站核技术研究所进行学术访问与交流。10月22日下午,Juozas Vidmantis Vaitkus先生为我所师生做题为“Investigation of an interaction of hadrons with Si and GaN during the irradiation and properties change afterwards”的报告。Juozas Vidmantis Vaitkus先生对半导体器件Si及GaN中的辐射引起的缺陷的形成和原因进行了分析,并汇报了不同辐照环境下Si及GaN器件中关键电学参数(如载流子迁移率、有效载流子浓度等)的变化的实验结果,分析Si及GaN的抗辐照性能,并对未来工作在辐射环境中的半导体器件及探测器的备选材料进行了探讨。师生们就报告中的具体问题进行了深入而热烈的讨论。此次学术访问活动对我所在半导体探测器研制、半导体器件辐射效应等方面的研究具有促进作用,加强了我所与国际知名学者的联系与交流。

Juozas Vidmantis Vaitkus教授简介:

1967年博士毕业于Vilnius大学,现任立陶宛物理学会会长,CERN RD50协作委员会副主席,国际知名物理专家,立陶宛科学院院士。主要从事Si、GaN、GaAs、TlBr、SiC、晶体和生物细胞等材料的辐照研究,在国际期刊发表论文350余篇,申请专利17个,多次受邀参加国际物理及工程相关大会做大会报告。

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